ONETEST 欢迎您

登录|注册 购物车 微信公众号
仪器资源库
搜索
二维码

    前沿新品！0.1至110GHz光控射频开关SPDT，插损0.16dB、P1dB(+60dBm)、IIP3(+100dBm)、73us

    • 分类：新品发布
    • 作者：
    • 来源：
    • 发布时间：2025-06-20 15:05
    • 访问量：17

    分享前沿技术和最新产品：

    英国布里斯托大学光子与量子研究小组在今年的国际微波研讨会（IMS 2025）上展示了射频技术领域的一项颠覆性进展。该小组的 Plasmaris 团队将首次公开其光电导半导体开关（PCSS）技术 —— 这项创新有望在超过 100GHz 频段和 50 瓦功率条件下重新定义射频信号管理标准。


    Plasmaris PCSS 技术的核心优势：


    • 极优的导通 / 关断电阻比
    • 卓越的本征线性度
    • 优异的功率处理能力
    • 无需复杂的射频偏置电路


    不同于传统开关方案，Plasmaris 技术通过集成激光源和内置散热设计，实现了快速开关速度、低插入损耗，且尺寸与标准射频晶体管相当。
    布里斯托团队已建立完整的制造工作流程，正推动多功能 RFIC 的开发，且不依赖昂贵的 MMIC 代工厂工艺。此次演示是 Plasmaris 平台的首次公开亮相，该项目与一家领先的射频测试测量公司合作开展。
    目前有两个即将商用产品：
    1、光控反射式射频单刀双掷开关 PLMSW1.1
    685507a28e584.png
    基于布里斯托大学十年光电导器件研究经验，我们的光控反射式射频单刀双掷开关 PLMSW1.1 将成为首批商用化光控射频器件之一。借助新型光控技术（待批欧洲专利 DJC144021P.GBA），该器件预计可实现极低插入损耗、高三阶截点（IIP3）和高功率处理能力，同时兼具紧凑尺寸与低成本优势。在已报道的光控射频器件中，其功耗有望创历史新低（平均约 25 毫瓦），并具备超宽功能带宽（预计 0.1 - 110 GHz）。
    特性
    685507a2e49b7.png685507a340efc.png685507a393264.png685507a3dae0d.png685507a43b0bf.png
    2、光控吸收式模拟电压可变射频衰减器 PLMVVA1.1C
    685507a489e96.png


    基于布里斯托大学十年光电导器件研究经验，我们的光控吸收式模拟电压可变射频衰减器 PLMVVA1.1C 将成为首批商用化光控射频器件之一。借助新型光控技术（待批欧洲专利 DJC144021P.GBA），该器件预计可实现出色的动态范围、1 分贝压缩点与三阶截点，同时兼具紧凑尺寸与低成本优势。在已报道的光控射频器件中，其功耗有望创历史新低（平均约 13 毫瓦），并具备超宽功能带宽（预计 0.1 - 40 GHz）。

    特性



    685507a4d8467.png685507a52cf5e.png685507a57163a.png685507a5d3435.png685507a63ae79.png


    上一篇:
    下一篇: 暂无数据

    收录与合作

    产品相关收录：info@onetest.cn

              或致电：+86-18665380013

    商务合作：info@onetest.cn

        或致电：+86-18665380013

    投诉与建议：service@onetest.cn

    深圳至一测控技术有限公司

    扫一扫，关注我们公众号

    获取全球最新产品资讯、资料、软件购买渠道、技术支持

    © 2025 Onetest仪器资源库 All Rights Reserved   粤ICP备17028186号-2      粤公网安备44030902003758