6400万！华中科大20项采购意向锁定芯片研制和测试：频谱仪、矢网、示波器、误码仪、相噪分析、芯片测试系统、芯片制备

华中科技大学2025年8月采购意向如下：

部分设备详细指标

误码率分析仪

1、支持2-64GBd的码型产生； 2、支持NRZ,PAM4编码方式；支持PRBS7,PRBS15,PRBS31,PRBS51输出； 3、时钟抖动小于300fs； 4、输出幅度为50 mV 至 0.8 Vpp (单端)；100 mV 至1.6 V 差分；

大带宽高速时域信号调制分析仪 技术指标： 

1、2通道模拟实时带宽≥59GHz； 2、2通道实时采样率≥200GS/s； 3、存储深度 ≥50M；

存储器芯片测试系统

 1、覆盖8*8阵列芯片的测试，配置16个SMU通道； 2、任意波形发生器：16Bit，8通道，每条通道2G样点波形存储深度，采样率10GS/s； 3、源表：2通道，200V，测量分辨率0.1fA/100nV； 4、最小脉宽：400 ps 5、示波器：8个模拟通道，62.5M记录长度，2.5G带宽；

频谱分析仪

 1、频率范围不小于2hz-26.5GHz； 2、实时频谱分析带宽不低于500MHz； 3、总体幅度精度±0.27dB；

矢量网络分析仪

功率器件分析仪

 1、具有高电压高电流IV测量功能，最大电流1500A，最大电压3KV，且可在1500A和3KV之间进行自动切换； 2、超大电流模块，最大电流±1500A（脉冲），电流测量分辨率为：2mA，最大输出电压±60V，输出脉冲宽度可设置范围为10us至0.5ms； 3、栅极最大输出电压：±30V，最大输出电流：±1A（脉冲模式），±0.1A（DC），最小电流测量分辨率：10pA 4、高压模块性能：最大输出电压范围±3KV，最大输出电流:±8mA；电流测量最小分辨率为：10fA；

相位噪声分析仪

 1、相位噪声测量载波频率范围不小于1MHz-50GHz; 2、相位噪声测量频偏可达1GHz； 3、可完成测试功能包括瞬态测试、VCO测试、AM噪声测试和Alan方差测试； 4、相位噪声测量SSB相位噪声、杂散信号、时间抖动； 

ESD测试系统

系统包括半导体器件及ESD测试平台、中脉冲宽度扩展器及手动探头。 主要技术指标： 1、半导体器件及ESD测试平台：支持短路电流最大40A ；支持开路电压最大2KV；支持上升时间10ns；支持脉冲宽度100ns；支持封装级、晶圆级测试；提供自动测试软件；提供数据分析软件；支持升级VF-TLP/HBM/HMM。 2、中脉冲宽度扩展器：短路电流最大40A ；开路电压最大2KV；上升时间10ns；脉冲宽度100ns。 3、手动探头：探针台主机大小4英寸；移动精度10 微米；三目体式显微镜；目镜倍率20倍；放大倍率16倍~100倍；200万像素高清CCD成像系。

采购意向分析

一、采购核心方向：聚焦 “集成电路 + 先进制造 + 材料表征” 三大领域

从采购品目和设备功能来看，20 个项目几乎全部围绕 “科研级器件制备 - 测试 - 表征” 全链条展开，核心聚焦三大领域：

1. 集成电路与半导体器件研发

• 制备端：FIB 扫描电子显微镜双束系统（980 万，纳米级加工）、反应离子刻蚀机、电子束蒸镀机等 8 类 “工艺试验机”，覆盖半导体器件制造的刻蚀、沉积、镀膜等核心环节；
• 测试端：误码率分析仪（516 万）、存储器芯片测试系统、频谱分析仪等 7 类 “集成电路参数测量仪”，覆盖芯片性能、信号质量、可靠性等全维度测试；
• 典型应用：可支撑芯片设计、先进封装、半导体材料性能验证等研究，属于当前国家重点支持的 “卡脖子” 技术领域。

2. 先进材料与光学表征

• 荧光寿命测量系统（300 万，材料光学特性分析）、椭偏仪（120 万，薄膜厚度与光学参数测量）、金相显微镜（180 万，材料微观结构观察）等设备，可实现从材料光学性能到微观结构的精准表征；
• 结合等离子体增强化学气相沉积系统（230 万）等制备设备，可支撑光电材料、薄膜材料等前沿材料的 “制备 - 表征” 闭环研究。

3. 计算与仿真支撑

• GPU 服务器（120 万）主要用于大规模数据处理、数值模拟（如半导体器件仿真、材料分子动力学模拟），为实验研究提供算力支撑，是科研数字化的基础配置。

二、采购特点：高投入、强系统性、贴近产业需求

1. 预算规模大且集中

• 20 个项目总预算约 6400 万元，单个项目平均预算 320 万元，其中超 500 万的项目有 3 个（最高 980 万），属于典型的 “重资产” 科研设备投入，远高于常规实验室仪器采购规模。
• 高预算设备（如 FIB 双束系统、化学机械平坦化系统）均为半导体领域 “高精尖” 设备，单价接近产业级生产线配置，说明研究可能偏向 “接近产业化” 的中试阶段，而非基础理论研究。

2. 设备配置形成 “全链条能力”

• 从 “材料制备”（沉积、蒸镀）到 “器件加工”（刻蚀、激光直写），再到 “性能测试”（信号分析、参数测量），最后到 “微观表征”（显微镜、椭偏仪），设备覆盖从 “原材料” 到 “成品器件” 的全流程，避免了 “能做实验却测不了数据” 的短板，具备独立开展复杂科研项目的能力。
• 例如：用电子束蒸镀机制备薄膜材料→用椭偏仪测厚度与光学参数→用荧光寿命系统分析光学性能→用 GPU 服务器模拟优化参数，形成完整研究闭环。

3. 紧密对接国家战略与产业热点

• 采购设备高度匹配 “半导体自主可控”“光电信息” 等国家战略方向（如《“十四五” 原材料工业发展规划》《新一代信息技术产业创新发展行动计划》），属于政策鼓励的科研设备投入领域。
• 存储器芯片测试、功率器件分析等设备，直接对应当前国内紧缺的存储芯片、功率半导体等产业需求，研究成果可能更快向产业转化。

三、背后逻辑：支撑学科建设与科研平台升级

1. 强化优势学科竞争力
   华中科技大学在光电工程、微电子科学与工程等学科长期处于国内前列（如 “光电信息科学与工程” 为国家级一流本科专业），此次采购是对优势学科的 “设备迭代”，可进一步巩固其在半导体、光电领域的科研地位。

2. 可能服务于重大科研平台建设
   此类系统性设备采购（非零散补充），更可能用于新建 / 升级校级科研平台（如 “集成电路研究院”“先进材料实验室”），或服务于国家重点实验室、教育部工程研究中心的科研任务，具备 “公共平台” 属性（供多个团队共享使用）。

3. 兼顾基础研究与产业协同
   设备既包含用于基础研究的材料表征仪器（如荧光寿命测量系统），也包含贴近产业的半导体制造设备（如化学机械平坦化系统，与芯片制造 “planarization” 工艺直接相关），说明研究可能采取 “基础 - 应用” 双轨模式：既做前沿理论探索，也为企业提供技术验证支持（如与本地半导体企业合作研发）。

四、总结：指向 “半导体 + 光电” 领域的科研攻坚

整体来看，此次采购是华中科技大学在 “集成电路、先进材料” 领域的一次集中性科研设备升级，核心目标是构建 “从材料到器件、从制备到测试” 的完整科研能力，既服务于前沿基础研究，也为突破半导体产业关键技术提供支撑。这种采购方向与国家战略、产业需求高度契合，后续可能在芯片制造工艺、光电材料应用等领域产出高水平成果，甚至推动相关技术的产业化落地。