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VT321半导体参数测试仪，支持SMU、LCR、PGU、PMU等PXIe标准模块，满足复杂测试需求。配备15.6英寸高清屏，预装Windows 10及VTNext软件，提供I-V、C-V、脉冲I-V测试功能，内置MOSFET、BJT、二极管、电阻及电容等丰富的器件类型库，为现代半导体、材料和工艺表征提供高级测试定义、参数分析、图表绘制和自动化功能。
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高精度数字源表，四象限输出高速量测，采样率100kS/s电压范围：±200V 电压灵敏度：100nV电流范围：±1A(直流)，±3A(脉冲)电流灵敏度：1fA多通信接口，支持USB2.0、LAN、RS232前置USB，支持数据存储5英寸高分辨率触摸屏
VT321 半导体参数测试仪|微泰电子 (在产)
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武汉微泰电子 Vtechsemi
VT321 半导体参数测试仪
模块化架构 · 全面对标国际旗舰 · 国产半导体参数分析仪标杆
产品简介
VT321 半导体参数测试仪支持 SMU、LCR、PGU、PMU 等 PXIe 标准模块，满足复杂测试需求。配备 15.6 英寸高清触摸屏，预装 Windows 10 及自研 VTNext 软件，提供 I-V、C-V、脉冲 I-V 测试功能，内置 MOSFET、BJT、二极管、电阻及电容等丰富的器件类型库，为现代半导体、材料和工艺表征提供高级测试定义、参数分析、图表绘制和自动化功能。全面对标泰克 4200A-SCS、是德 B1500A，补齐国产设备在高精度、全功能集成上的核心短板。
产品优势
性能不妥协
核心指标全面对标进口旗舰机型（T 厂商 4200A-SCS、K 厂商 B1500A），在精度、速度、动态范围等关键参数上实现正面竞争。电压 ±200V，电流灵敏度 0.1fA，采样率 1.8MS/s。
模块化架构
支持 SMU、LCR、PGU、PMU 等 PXIe 标准模块，可在一台主机中灵活组合不同功能模块，无需多台仪器间频繁切换。后续按需升级扩展，无需更换整机。
VTNext 软件平台
自研 VTNext 测试软件，集器件库、图形化测试配置、Python 脚本开发、内置数据分析于一体。支持线性/对数/散点/多段扫描，多格式数据导出（.csv/.xls/.ad3/.stdf）。
成本更可控
打破进口品牌定价垄断，提供性能相当但总拥有成本（TCO）更优的国产替代方案。本土化技术支持和售后服务，响应快、维修周期短，设备停机时间大幅缩短。
生态更开放
支持 Python 脚本开发，可调用外部仪器和设备（探针台、矩阵开关等），实现晶圆级多点自动测试。支持主流探针台与矩阵开关控制，可融入现有测试系统。
全场景测试覆盖
从 I-V、C-V 到脉冲测试，从高精度 SMU 到大电流模块，从 MOSFET、BJT 到纳米材料和功率器件，一套系统覆盖半导体测试绝大部分应用场景。
SMU 源测量单元模块
四款 SMU 模块选配指南
| 模块型号 | 核心定位 | 电压范围 | 直流量程 | 脉冲量程 | 测量分辨率 | 典型应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MT5251 高精度 SMU | 旗舰级精度，全场景通用 | ±200V | ±1A | ±3A | 0.1 fA | MOSFET 亚阈值特性、纳米器件漏电流、光电探测器暗电流 |
| MT5250 中精度 SMU | 性价比之选，替代进口主力 | ±200V | ±1A | ±3A | 10 fA | 常规半导体器件 I-V 测试、工艺监控 |
| MT5252 双通道高精度 SMU | 双通道并行，节省系统成本 | ±60V | ±100mA | ±1A | 1 fA | 差分对管匹配测试、多引脚器件并行测试 |
| MT5259 大电流中精度 SMU | 功率器件专用，电流能力突出 | ±60V | ±3A | ±10A | 100 fA | IGBT、MOSFET 功率管输出特性、导通电阻测试 |
与国际旗舰对标
| 厂商 | 模块型号 | 电压范围 | 电流范围 | 电压测量分辨率 | 电流测量分辨率 | 脉冲功能 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 微泰 | MT5251 高精度 SMU | ±200V | ±1A (3A 脉冲) | 100nV | 0.1fA | 是 |
| 微泰 | MT5250 中精度 SMU | ±200V | ±1A (3A 脉冲) | 100nV | 10fA | 是 |
| T 厂商 | 4200A 中功率 SMU | ±210V | ±100mA | 200nV | 100fA（带 PA 0.1fA） | 否 |
| T 厂商 | 4200A 高功率 SMU | ±210V | ±1A | 200nV | 100fA（带 PA 0.1fA） | 否 |
| K 厂商 | B1500 高分辨率 SMU | ±100V | ±100mA | 500nV | 0.1fA | 否 |
| K 厂商 | B1500 高功率 SMU | ±200V | ±1A | 2µV | 10fA | 否 |
LCR 模块（C-V / C-f 测试）
| 模块型号 | 频率范围 | 直流偏置 | 最小可测电容 | 最大可测电容 |
|---|---|---|---|---|
| VT329-002 | 20 Hz – 2 MHz | ±40V | 10 fF (>1 MHz) | 10 mF (>100 Hz) |
| VT329-010 | 20 Hz – 10 MHz | ±40V | 10 fF (>1 MHz) | 10 mF (>100 Hz) |
AC 信号源：电压 10mVrms–2Vrms (f≤1MHz)、1Vrms (f>1MHz)；电流 50pArms–100mArms
DC 偏置：电压 ±40V；电流 ±100mA
适用场景：MOS 栅氧化层 C-V 曲线、MEMS 电容特性、铁电材料介电常数测试
DC 偏置：电压 ±40V；电流 ±100mA
适用场景：MOS 栅氧化层 C-V 曲线、MEMS 电容特性、铁电材料介电常数测试
PGU 高压脉冲发生单元（MT5310B）
| 频率范围 | 0.1 Hz – 20 MHz | 脉冲周期 | 50 ns – 10 s（分辨率 10 ns） |
| 脉冲宽度 | 25 ns – (周期-25 ns) | 分辨率 | 2.5 ns (Tr/Tf ≤ 8µs)；10 ns (Tr/Tf > 8µs) |
| 高电压输出 | ±40V | 双通道输出 | 支持双电平/三电平脉冲模式 |
| 脉冲宽度抖动 | 0.001% + 150 ps | 适用场景 | 非易失存储器耐久性测试、GaN 器件应力老化、电荷泵测试 |
CVIV 多通道开关（VT321-CVIV）
通道配置：8 个三同轴 SMU 通道 + 4 个 BNC CV 通道
适用场景：晶圆级自动化测试，无需手动插拔线缆，提升测试效率
适用场景：晶圆级自动化测试，无需手动插拔线缆，提升测试效率
VTNext 软件平台
开箱即用的器件库
内建 MOSFET、BJT、二极管、电阻、电容等器件类型库，用户选择对应器件类型即可快速完成转移特性、输出特性等标准测试。
图形化测试配置
支持线性扫描、对数扫描、散点扫描、多段扫描、带参数扫描（参数嵌套），无需编写代码即可搭建复杂测试序列。
Python 脚本开发
支持 Python 编写测试脚本，自定义测试步骤和逻辑，调用外部仪器（探针台、矩阵开关等），实现晶圆级多点自动测试，数据实时回传数据库。
内置数据分析
内置平方/开方/微分/对数等数学变换，支持线性拟合与参数提取，多窗口同时显示便于对比，支持 .csv/.xls/.ad3/.stdf 多格式导出。
可测器件与参数
| 器件类别 | 可测参数 |
|---|---|
| CMOS 晶体管 | Id-Vg, Id-Vd, Ig-Vg, Vth, Vtlin, Sub-Vt, Rds-on, breakdown, capacitance 等 |
| BJT | Ic-Vc, Vcsat, Gummel 图, 电容, BF, QF |
| 纳米尺寸器件 | 电阻, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc |
| 分立元器件 | Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Vf_diode, Vr_diode, 电容 |
| 材料 | Van der Pauw, 四点共线电阻率, Hall 效应 |
| 光伏器件 | 正向 I-V, 反向 I-V, HiR, LoR |
应用场景
全部
联系方式
公司电话：027-87870872
公司地址：湖北省武汉市洪山区文化大道555号融创智谷A2
公司邮箱：info@vtechsemi.cn
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