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WLBI3810 晶圆级老化系统（晶圆级老化系统） WLBI3810属于晶圆级老化系统类别。联讯仪器WLBI3810晶圆级老化系统是一款专为碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）晶圆设计的高端老化测试设备，具备高效、精准的测试能力。该系统可同时对9片晶圆进行高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）老化测试，测试时间范围从数分钟至数千小时，灵活适应不同产品的老化需求。设备集成了全自动上下料系统，采用三卡塞设计，支持无缝切换，并具备自动切换老化条件的功能，确保测试过程的高效性和连续性。
WLBI3800 晶圆级老化系统（晶圆级老化系统） WLBI3800属于晶圆级老化系统类别。WLBI3800晶圆级老化系统是一款高端专业的碳化硅晶圆老化测试设备，能够同时对3片晶圆进行高温栅极偏压(HTGB)老化和高温反向偏压(HTRB)老化，老化测试时间范围广泛，从数分钟到数十小时，甚至可扩展至数千小时，可满足不同产品的老化需求。
WLBI370B 晶圆级老化系统（晶圆级老化系统） WLBI370B属于晶圆级老化系统类别。联讯仪器WLBI370B晶圆级老化系统是一款高产出，全自动化的晶圆级老化设备。该系统可同时对15片晶圆进行高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）老化测试，并支持在RB老化过程中对栅极（Gate）施加负压，测试时间范围从数分钟至数千小时，灵活适应不同产品的老化需求。
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D-HTFB双极性测试系统是针对SiC MOSFET体二极管双极退化机理自主研发的高加速可靠性测试解决方案。设备集大电流脉冲源、高精度静态参数测量与动态结温控制于一体，系统基于动态高温正向偏压测试原理，通过向被测器件施加重复性的大电流双极脉冲，精准激发并量化体二极管的堆层错扩展导致的性能退化。
JHP560专为第三代功率半导体设计的动态可靠性测试系统（DHTGB/DHTRB），核心功能是通过大容量、高性能测试（宽电压、高频、高dv/dt），对栅氧缺陷、界面态劣化、材料缺陷等引发的早期失效进行高效评估与筛选，从而提升器件可靠性和良率。
JHP550 Series 第三代功率半导体静态可靠性测试系统|武汉精测 (在产)
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系统与解决方案
武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP550 Series 第三代功率半导体静态可靠性测试系统
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
产品简介
JHP550专为碳化硅（SiC）器件苛刻测试要求而设计的高精度、高效率、高可靠性测试解决方案，针对碳化硅MOSFET的栅极氧化层，通过监测栅极-漏电流的变化，评估器件在高温、高电场条件下的长期稳定性和可靠性。
核心参数
• 测试标准：JEDEC、AQG324、AEC-Q101、MIL-STD-750E、GJB128A、IEC 60747-9 等
• 封装类型：TO247 / HPD / DCM / ED3 / Easy 2B / Easy 3B 等封装
• 试验电压：-40 至 40 V
资源下载
• JHP550 Series 第三代功率半导体静态可靠性测试系统 的全部技术指标已单独整理，见本产品详情页「详细指标」标签。
以上内容与指标均取自武汉精测（武汉精测电子集团股份有限公司）官网该产品详情页与官方产品资料，未标注口径的为厂家公布值。
武汉精测电子集团股份有限公司 · onetest 仪器资源库
武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP550 Series 第三代功率半导体静态可靠性测试系统 详细指标
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
详细指标
指标取自厂家官网该产品页的规格表截图，按原图转写，未做换算。
整机（JHP550G / HTGB 机型）
• 测试标准：JEDEC、AQG324、AEC-Q101、MIL-STD-750E、GJB128A、IEC 60747-9 等
• 封装类型：TO247 / HPD / DCM / ED3 / Easy 2B / Easy 3B 等封装
• 试验电压：-40 至 40 V
漏电流检测（JHP550G，IGSS 0 至 10 μA）
• 10 nA 至 10 μA 档：分辨力 0.01 nA，精度 0.3%+0.1 nA
• 10 nA 至 100 nA 档：分辨力 0.01 nA，精度 0.3%+1 nA
• 100 nA 至 1 μA 档：分辨力 1 nA，精度 0.3%+10 nA
• 1 μA 至 10 μA 档：分辨力 1 nA，精度 0.3%+100 nA
整机（JHP550R / HTRB 机型）
• 试验电压：多款电压范围可选：0 至 2000 V、0 至 3000 V、0 至 5000 V、0 至 10000 V；分辨力 0.1 V，精度 0.5%
• 漏电流检测（IDSS 0 至 10 mA）：1 nA 至 100 nA 分辨力 0.01 nA；100 nA 至 1 μA 分辨力 0.1 nA；1 μA 至 100 μA 分辨力 0.1 nA；100 μA 至 10 mA 分辨力 1 μA
高温箱技术规格
• 温度范围：（环境温度+20）℃ 至 200 ℃
• 温度波动度：≤200 ℃ 时 0.4 ℃
• 温度偏差：≤100 ℃ 时 ±1.5 ℃；≤200 ℃ 时 ±2.0 ℃
• 升温时间：（环境温度+20）℃ 至 200 ℃ 不大于 40 min
• 老化板插拔方式：水平插拔
• 层间距：≥80 mm
武汉精测官网 www.wuhanjingce.com 产品页与官方产品手册，采集于 2026-10-22
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• 联系电话 027-87526915
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• 地址 武汉市东湖新技术开发区佛祖岭四路2号
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