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WLBI3810 晶圆级老化系统(晶圆级老化系统) WLBI3810属于晶圆级老化系统类别。联讯仪器WLBI3810晶圆级老化系统是一款专为碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)晶圆设计的高端老化测试设备,具备高效、精准的测试能力。该系统可同时对9片晶圆进行高温栅极偏压(HTGB)和高温反向偏压(HTRB)老化测试,测试时间范围从数分钟至数千小时,灵活适应不同产品的老化需求。设备集成了全自动上下料系统,采用三卡塞设计,支持无缝切换,并具备自动切换老化条件的功能,确保测试过程的高效性和连续性。
WLBI3800 晶圆级老化系统(晶圆级老化系统) WLBI3800属于晶圆级老化系统类别。WLBI3800晶圆级老化系统是一款高端专业的碳化硅晶圆老化测试设备,能够同时对3片晶圆进行高温栅极偏压(HTGB)老化和高温反向偏压(HTRB)老化,老化测试时间范围广泛,从数分钟到数十小时,甚至可扩展至数千小时,可满足不同产品的老化需求。
WLBI370B 晶圆级老化系统(晶圆级老化系统) WLBI370B属于晶圆级老化系统类别。联讯仪器WLBI370B晶圆级老化系统是一款高产出,全自动化的晶圆级老化设备。该系统可同时对15片晶圆进行高温栅极偏压(HTGB)和高温反向偏压(HTRB)老化测试,并支持在RB老化过程中对栅极(Gate)施加负压,测试时间范围从数分钟至数千小时,灵活适应不同产品的老化需求。

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JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统|武汉精测 (在产)

D-HTFB双极性测试系统是针对SiC MOSFET体二极管双极退化机理自主研发的高加速可靠性测试解决方案。设备集大电流脉冲源、高精度静态参数测量与动态结温控制于一体,系统基于动态高温正向偏压测试原理,通过向被测器件施加重复性的大电流双极脉冲,精准激发并量化体二极管的堆层错扩展导致的性能退化。
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系统与解决方案

武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
产品简介
D-HTFB双极性测试系统是针对SiC MOSFET体二极管双极退化机理自主研发的高加速可靠性测试解决方案。设备集大电流脉冲源、高精度静态参数测量与动态结温控制于一体,系统基于动态高温正向偏压测试原理,通过向被测器件施加重复性的大电流双极脉冲,精准激发并量化体二极管的堆层错扩展导致的性能退化。
核心参数
• DUT 数量:80 个 DUT(单管 TO247 封装)
• 被测器件封装:单管:TO247;模块:HPD、ED3、Easy、DCM 等
• 加电电流值范围 Ip:5 A 至 400 A
• 电流脉宽 Tp:1 μs 至 1 ms
• 电流上升下降时间 Tr、Tf:<2 μs
资源下载
• JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统 的全部技术指标已单独整理,见本产品详情页「详细指标」标签。
以上内容与指标均取自武汉精测(武汉精测电子集团股份有限公司)官网该产品详情页与官方产品资料,未标注口径的为厂家公布值。
武汉精测电子集团股份有限公司 · onetest 仪器资源库

 

 

武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统 详细指标
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
详细指标
指标取自厂家官网该产品页的规格表截图,按原图转写,未做换算。
老化规格(DHTFB)
• DUT 数量:80 个 DUT(单管 TO247 封装)
• 被测器件封装:单管:TO247;模块:HPD、ED3、Easy、DCM 等
• 加电电流值范围 Ip:5 A 至 400 A
• 电流脉宽 Tp:1 μs 至 1 ms
• 电流上升下降时间 Tr、Tf:<2 μs
• 脉冲频率 fp:1 Hz 至 10 kHz
• 加电电流精度:≤0.2%FS
• 应力电流波形:方波与三角波
• Vgs 关断电压:0 至 -20 V
• 保护方式:过流 / 过压 / 过温
• 壳温采样精度:±1 ℃
• 冷却方式:水冷
• 结温测试和估算:支持
参数测试指标(DHTFB)
• 静态参数测试项:Rds(on)、VF、Idss、Igss、Vth
• VF / Rds(on) 测试精度:0.1% × set + 0.1% × range
• VF / Rds(on) 测试脉冲电流 Ip:0 至 100 A
• VF / Rds(on) 测试脉冲上升时间 Tr:<2 μs
• 被测器件 Vds 范围:≤2000 V
• Vth 检测精度与分辨率:(0.02% + 1 mV)@20 V、10 μV
• Igss 检测精度与分辨率:(0.1% + 1 nA)@100 nA、0.01 nA;(0.1% + 10 nA)@1 μA、0.1 nA;(0.1% + 100 nA)@10 μA、1 nA
• Idss 检测精度与分辨率:(0.5% + 10 nA)@1 μA、0.1 nA;(0.5% + 100 nA)@10 μA、1 nA;(0.5% + 1 μA)@100 μA、10 nA
武汉精测官网 www.wuhanjingce.com 产品页与官方产品手册,采集于 2026-10-22
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